Correlación entre los parámetros de crecimiento y las características de lingotes de silicio obtenidos por la técnica Czochralski

Abstract

La eficiencia de una celda solar depende entre otros factores de la perfección estructural del silicio empleado en su fabricación. Cuando la cantidad de defectos cristalinos aumenta la Corriente fotogenerada por la celda baja mediante técnicas de revelado químico de defectos se estudió la densidad de dislocaciones versus la longitud del lingote, crecidos en nuestro laboratorio. Se verificó la eficiencia de la técnica Dash para el crecimiento de monocristates libres de dislocaciones. Se encontró, además, una correlación entre la rutina de fundición del silicio y la perdida de la monocristalinidad.