Heterojuntura p-n de silicio amorfo-policristalino como celda solar

Abstract

Se calcularon perfiles de potencia] electrostático, curvas C(V) a bajas frecuencias, co­rrientes de cortocircuito y eficiencias de colección, para una celda solar de silicio amorfo-silicio policristalino en la configuración de heterojuntura p-n. Los resultados dependen mucho de la densidad de estados adoptada en la banda prohibida del material amorfo. Si comparamos la eficiencia de esta celda con la de una homojuntura p-n convencional de sili­cio policristalino con el mismo tamaño de grano (d), observamos una mejora para una baja densidad de estados en la banda prohibida de silicio amorfo y para valores pequeños de d.